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IRF7526D1PbF
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Q G
50K ?
V G
Q GS
Q GD
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
-3mA
D.U.T.
V DS
Charge
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 15a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 15b. Gate Charge Test Circuit
Fig 16a. Switching Time Test Circuit
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
10%
90%
V DS
Fig 16b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
7
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IRF7526D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF7530TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7530TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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